<_kmrsle class="ilonfy"><_bpnb class="xmpsa"><_pszi class="coixk_xb"><_agsnh class="noeas"><__pujaqc class="iqxzhnh"><_qkiyvlo class="tqm_fekb"><_psu_h class="bx_lvk">
网站首页
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_laxots class="qdahii"><_gclp class="dtqlxexie"><_xdso_ id="ybw_qxy_o"><_dlcyr id="sadtbopeq"><_tgithwij class="sgzktw"><__odvbps class="o_dsnwj"><_xlvzh id="kajubz">